ZXMC3AM832TA

Diodes Incorporated

ZXMC3AM832TA

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

Устаревший8-VDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 2.5A, 10V
Базовый Part NumberZXMC3
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds190pF @ 25V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A, 2.1A
Power - Max1.7W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Корпус производителя8-MLP (3x2)