ZXMC3A17DN8TC

Diodes Incorporated

ZXMC3A17DN8TC

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3.4A 8SO

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 7.8A, 10V
Базовый Part NumberZXMC3
КонфигурацияN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600pF @ 25V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.1A, 3.4A
Power - Max1.25W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)