ZVP4525E6TA

Diodes Incorporated

ZVP4525E6TA

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 250V 197MA SOT23-6

В производствеSOT-23-6Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs14Ohm @ 200mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds73 pF @ 25 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±40V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)3.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C197mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.1W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6
Корпус производителяSOT-23-6

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)