Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 100mA, 5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 25 V |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 50 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 175mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 625mW (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус производителя | TO-92 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|