ZVNL110GTA

Diodes Incorporated

ZVNL110GTA

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

В производствеTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Базовый Part NumberZVNL110
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds75 pF @ 25 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.1W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Корпус производителяSOT-223-3

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)