Общие
| Производитель | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 6 A |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 4-PowerTSFN |
| Корпус производителя | DFN8080 |
Среда
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|