DXTN5860DFDB-7

Diodes Incorporated

DXTN5860DFDB-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SS LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020

В производстве3-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic315mV @ 300mA, 6A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60 V
Current - Collector (Ic) (Max)6 A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce280 @ 500mA, 2V
Power - Max690 mW
Frequency - Transition115MHz

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяU-DFN2020-3 (Type B)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)