DXTN3C100PDQ-13

Diodes Incorporated

DXTN3C100PDQ-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

SS Low Sat Transistor PowerDI506

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberDXTN3C100
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Transistor Type2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic330mV @ 300mA, 3A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100V
Current - Collector (Ic) (Max)3A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce150 @ 500mA, 10V
Power - Max1.47W
Frequency - Transition130MHz

Механические

КорпусBulk
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPowerDI5060-8 (Type UXD)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101