DXTN10060DFJBQ-7

Diodes Incorporated

DXTN10060DFJBQ-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

TRANS NPN 60V 4A 3DFN

В производстве3-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic320mV @ 200mA, 4A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60 V
Current - Collector (Ic) (Max)4 A
Current - Collector Cutoff (Max)100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce340 @ 200mA, 2V
Power - Max1.8 W
Frequency - Transition125MHz

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяU-DFN2020-3 (Type B)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101