DMTH8030LPDWQ-13

Diodes Incorporated

DMTH8030LPDWQ-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 80V 28.5A PWRDI50

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 10A, 10V
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds631pF @ 40V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28.5A (Tc)
Power - Max3.1W (Ta), 41W (Tc)

Механические

Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPowerDI5060-8 (Type UXD)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101