DMTH69M8LFVW-7

Diodes Incorporated

DMTH69M8LFVW-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 13.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1925 pF @ 30 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.6W (Ta), 29.4W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)