DMTH6016LSDQ-13

Name: DMTH6016LSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.5mOhm @ 10A, 10V
Базовый Part Number	DMTH6016
Конфигурация	2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	864pF @ 30V
Производитель	Diodes Incorporated
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Напряжение сток-исток	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.6A (Ta)
Power - Max	1.4W, 1.9W

Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)