DMTH6016LSD-13

Diodes Incorporated

DMTH6016LSD-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 7.6A 8SO

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs19.5mOhm @ 10A, 10V
Базовый Part NumberDMTH6016
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds864pF @ 30V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101