DMTH6015LDVW-13

Diodes Incorporated

DMTH6015LDVW-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI3333

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20.5mOhm @ 10A, 10V
Базовый Part NumberDMTH6015
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds825pF @ 30V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.2A (Ta), 24.5A (Tc)
Power - Max1.46W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerDI3333-8 (Type UXD)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)