Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 20A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2162 pF @ 30 V |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | В производстве |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.2A (Ta), 100A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 2.88W (Ta), 100W (Tc) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
|---|---|
| Корпус производителя | PowerDI5060-8 (Type Q) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|