DMTH4M70SPGW-13

Diodes Incorporated

DMTH4M70SPGW-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808

В производствеSOT-1235Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.7mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs117.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10053 pF @ 20 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C460A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность5.6W (Ta), 428W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1235
Корпус производителяPowerDI8080-5

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)