DMTH45M5SPDWQ-13

Diodes Incorporated

DMTH45M5SPDWQ-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 40V 79A POWERDI50

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 25A, 10V
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1083pF @ 20V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C79A (Tc)
Power - Max3.3W (Ta), 60W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPowerDI5060-8 (Type UXD)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101