DMTH4014LDVWQ-13

Diodes Incorporated

DMTH4014LDVWQ-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 40V 10.2A PWRDI3333

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 20A, 10V
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds750pF @ 20V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.2A (Ta), 27.5A (Tc)
Power - Max1.16W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerDI3333-8 (Type UXD)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101