DMT6018LDR-13

Diodes Incorporated

DMT6018LDR-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 8.8A 8VDFN

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 8.2A, 10V
Базовый Part NumberDMT6018
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds869pF @ 30V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.8A (Ta)
Power - Max1.9W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяV-DFN3030-8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)