DMT6017LFV-7

Diodes Incorporated

DMT6017LFV-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds891 pF @ 30 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.12W (Ta), 39.06W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerDI3333-8 (Type UX)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)