DMT6012LFV-7

Diodes Incorporated

DMT6012LFV-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1522 pF @ 30 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C43.3A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.95W (Ta), 33.78W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerDI3333-8 (Type UX)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)