DMT6011LPDW-13

Diodes Incorporated

DMT6011LPDW-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 10.3A POWERDI50

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 10A, 10V
Базовый Part NumberDMT6011
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1072pF @ 30V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.3A (Ta), 40A (Tc)
Power - Max2.5W (Ta), 37.9W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPowerDI5060-8 (Type UXD)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)