DMT47M2LDV-7

Diodes Incorporated

DMT47M2LDV-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.8mOhm @ 20A, 10V
Базовый Part NumberDMT47
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds891pF @ 20V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Power - Max2.34W (Ta), 14.8W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerDI3333-8 (Type UXC)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)