DMT31M6LPS-13

Diodes Incorporated

DMT31M6LPS-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.35mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7019 pF @ 15 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35.8A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101