DMT3011LDT-7

Diodes Incorporated

DMT3011LDT-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 8A/10.7A 8VDFN

В производстве8-VDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 6A, 10V
Базовый Part NumberDMT3011
Конфигурация2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds641pF @ 15V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A, 10.7A
Power - Max1.9W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-VDFN Exposed Pad
Корпус производителяV-DFN3030-8 (Type K)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 155°C (TJ)