DMT3006LPS-13

Diodes Incorporated

DMT3006LPS-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI5060

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1320 pF @ 15 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta), 65A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.3W (Ta), 42W (Tc)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101