DMT3006LPB-13

Diodes Incorporated

DMT3006LPB-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 11A/35A POWERDI50

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.1mOhm @ 11.5A, 10V, 6mOhm @ 20A, 10V
Базовый Part NumberDMT3006
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 35A (Tc), 14A (Ta), 50A (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPowerDI5060-8 (Type S)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)