DMT3006LFG-7

Diodes Incorporated

DMT3006LFG-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V PWRDI3333

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1320 pF @ 15 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Ta), 55.6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность27.8W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerDI3333-8

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)