DMT2004UPS-13

Diodes Incorporated

DMT2004UPS-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 24V 80A PWRDI5060-8

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1683 pF @ 15 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.45V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток24 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101