DMPH6050SFG-7

Diodes Incorporated

DMPH6050SFG-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333

В производствеTape & Reel (TR)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 7A, 10V
Базовый Part NumberDMPH6050
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1293 pF @ 30 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.1A (Ta), 18A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)