DMPH4013SPSQ-13

Diodes Incorporated

DMPH4013SPSQ-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 10A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4763 pF @ 20 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C69A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101