DMPH1006UPS-13

Diodes Incorporated

DMPH1006UPS-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 15A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs124 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6334 pF @ 10 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность3.2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101