DMP510DLQ-7

Diodes Incorporated

DMP510DLQ-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5Ohm @ 100mA, 5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds40 pF @ 25 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C196mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность520mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSOT-23-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)