Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150Ohm @ 50mA, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 59.2 pF @ 25 V |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 450 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 13.9W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус производителя | SOT-223-3 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|