DMP2100UFU-7

Diodes Incorporated

DMP2100UFU-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN

В производстве6-UFDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 3.5A, 10V
Базовый Part NumberDMP2100
Конфигурация2 P-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds906pF @ 10V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A
Power - Max900mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Корпус производителяU-DFN2030-6 (Type B)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)