Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 1A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 218 pF @ 10 V |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 860mW (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 4-XFBGA |
| Корпус производителя | X1-DSN1010-4 (Type C) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|