DMP2021UFDE-7

Diodes Incorporated

DMP2021UFDE-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN

В производстве6-PowerUDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 7A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs59 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2760 pF @ 15 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.9W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-PowerUDFN
Корпус производителяU-DFN2020-6 (Type E)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)