DMP2012SN-7

Diodes Incorporated

DMP2012SN-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3

В производствеTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 400mA, 4.5V
Базовый Part NumberDMP2012
FET TypeP-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds178.5 pF @ 10 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C900mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность500mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителяSC-59-3

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)