DMP2006UFGQ-7

Diodes Incorporated

DMP2006UFGQ-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V PWRDI3333

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 15A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7500 pF @ 10 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17.5A (Ta), 40A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.3W (Ta), 41W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101