DMP1055UFDB-7

Diodes Incorporated

DMP1055UFDB-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 12V 3.9A 6UDFN

В производстве6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.8nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1028pF @ 6V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.9A
Power - Max1.36W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителяU-DFN2020-6 (Type B)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101