DMP1011LFVQ-7

Diodes Incorporated

DMP1011LFVQ-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333

В производстве8-PowerVDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.7mOhm @ 12A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds913 pF @ 6 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-6V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 19A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.05W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Корпус производителяPowerDI3333-8 (SWP) Type UX

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)