DMNH6042SPS-13

Diodes Incorporated

DMNH6042SPS-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 24A PWRDI5060-8

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 5.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds584 pF @ 25 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность1.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101