DMNH6035SPDW-13

Diodes Incorporated

DMNH6035SPDW-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERDI50

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 15A, 10V
Базовый Part NumberDMNH6035
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds879pF @ 25V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Tc)
Power - Max2.4W (Ta), 68W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPowerDI5060-8 (Type R)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)