DMNH6021SPD-13

Diodes Incorporated

DMNH6021SPD-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 8.2A PWRDI50

В производстве8-PowerTDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 15A, 10V
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1143pF @ 25V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.2A, 32A
Power - Max1.5W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Корпус производителяPowerDI5060-8

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101