DMN90H2D2HCTI

Diodes Incorporated

DMN90H2D2HCTI

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 900V 6A ITO220AB

В производствеTO-220-3 Full Pack, Isolated TabАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1487 pF @ 25 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность40W (Tc)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Корпус производителяITO-220AB

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)