DMN66D0LDWQ-13

Diodes Incorporated

DMN66D0LDWQ-13

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 0.217A SOT363

В производстве6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 115mA, 5V
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds29.3pF @ 25V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C217mA (Ta)
Power - Max400mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяSOT-363

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101