DMN65D8LW-7

Diodes Incorporated

DMN65D8LW-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323

В производствеSC-70, SOT-323Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 115mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds22 pF @ 25 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность300mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-70, SOT-323
Корпус производителяSOT-323

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)