DMN65D8LT-7

Diodes Incorporated

DMN65D8LT-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R

В производствеSOT-523Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 115mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds24 pF @ 25 V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C210mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность300mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-523
Корпус производителяSOT-523

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)