DMN63D8LV-7

Diodes Incorporated

DMN63D8LV-7

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

В производствеSOT-563, SOT-666Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 250mA, 10V
Базовый Part NumberDMN63
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.87nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds22pF @ 25V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C260mA
Power - Max450mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Корпус производителяSOT-563

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)