DMN63D1LDW-13

Diodes Incorporated

DMN63D1LDW-13

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363

Устаревший6-TSSOP, SC-88, SOT-363Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 500mA, 10V
Базовый Part NumberDMN63
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 25V
ПроизводительDiodes Incorporated
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C250mA
Power - Max310mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус производителяSOT-363

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)